特許

J-GLOBAL ID：200903016879187574

大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成法

発明者： 山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109259
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283726
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 安価なガラス基板に形成でき、しかもグレインサイズがコントロールされてなるポリシリコン薄膜およびその形成法を提供する。【構成】 本発明のポリシリコン薄膜は、シリコンパウダーにより研磨されたガラス基板(透明電極や金属電極が製膜されたものも含む)3に形成されてなるものである。また、本発明のポリシリコン薄膜の形成法は、シリコンパウダーによりガラス基板(透明電極や金属電極が製膜されたものも含む)3を研磨した後、この基板3上にポリシリコン薄膜を形成するものである。

請求項（抜粋）：

シリコンパウダ-により研磨された基板上に形成されてなることを特徴とするポリシリコン薄膜。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C03C 17/30 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 31/04 X ,  H01L 29/78 311 F