バイポーラ集積回路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268084
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106342
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】本発明は、基板との寄生容量の増加を抑えると共に、基板を介してのラツチアツプの発生を防ぐことができるバイポーラ集積回路の製造方法を実現する。【構成】第1の導伝型の不純物が注入された低抵抗のシリコン基板1上に直接埋込層3を形成する前に、当該シリコン基板1に比して高抵抗であり、かつ第1の導伝型と同じ導伝型の不純物が注入された高抵抗層2を形成する。これにより、シリコン基板1を介してのラツチアツプの発生を防止することができると共に、低抵抗のシリコン基板1を用いているので基板との寄生容量を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

第1の導伝型の不純物が注入された低抵抗のシリコン基板上に当該シリコン基板に比して高抵抗であり、かつ上記第1の導伝型と同じ導伝型の不純物が注入された高抵抗層を形成する工程と、上記高抵抗層の上側に各素子を形成する工程とを含むことを特徴とするバイポーラ集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/8228 , H01L 27/082

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 27/08 101 C

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