特許
J-GLOBAL ID：200903016886199910
ポリイミド基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134947
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321457
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 金属層との密着性や電気的特性等において一段と優れた特性を有する、ポリイミドフィルムと金属層との二層ポリイミド基板を得ることができる製造方法を提供する。【構成】 最初に、ポリイミドフィルムの表面を、硝酸及びアルカリを用いて活性化処理し、次いで、そのまま、若しくは、ポリアミド酸溶液を塗布した後、塩化パラジウムで処理する。そして、更に、200°C以上の熱処理に引き続いて湿式メッキによる金属層の形成、若しくは、湿式メッキによる金属層の形成に引き続いて200°C以上の熱処理を行う。なお、その際、前記塩化パラジウムの還元処理を、それの付与に引き続いて、若しくは、200°C以上の熱処理と湿式メッキ間において行う。
請求項（抜粋）：
ポリイミドフィルムの表面を、薬液を用いて活性化処理し、次いで、触媒を付与せしめた後、200°C以上の加熱処理して安定化せしめ、更に、湿式メッキにより金属層を形成することを特徴とするポリイミド基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/38
, C23C 18/28
, H05K 3/18
