特許

J-GLOBAL ID：200903016888688225

変換効率向上処理工程を有する薄膜太陽電池の製造 方法

発明者： 櫛屋 勝巳 ,  新居 哲郎 ,  小長井 誠
出願人/特許権者： 昭和シェル石油株式会社
代理人 (1件)： 田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206706
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036401
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 光照射又はバイアス電圧印加のような簡単な処理工程を施すことにより変換効率の良い薄膜太陽電池を製造する。【構成】 光吸収層として供されるp形の第1の多元化合物半導体薄膜4と窓層として供されるn形の第2の金属酸化物半導体薄膜6との間の界面層5としてII-VI 族化合物半導体の中からイオウ含有混晶化合物薄膜、ZnSe薄膜等からなる薄膜太陽電池1に光照射又は順バイアス電圧印加のような簡単な処理工程を施すことにより変換効率の良い薄膜太陽電池1を製造することができる。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合薄膜太陽電池を製造する方法において、金属裏面電極層上にp形の導電形を有する第1の多元化合物半導体薄膜を作製し、前記第1の多元化合物半導体薄膜上に透明で高抵抗を有する、主にII-VI 族化合物半導体薄膜を成長させ、その上に前記第1の多元化合物半導体薄膜の第1の導電形と反対の導電形を有する禁制帯幅が広くかつ透明で導電性を有する第2の金属酸化物半導体薄膜を成長させて作製したヘテロ接合薄膜太陽電池の製造方法であって、ソーラーシュミレーター(地表の太陽光に相当する人工光を作製する装置)下において光照射する変換効率向上処理工程を有することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。