特許
J-GLOBAL ID：200903016888914306
入射イオンの粒子個数測定方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093923
公開番号（公開出願番号）：特開平6-139993
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造用イオン注入装置において、入射イオンの粒子個数を精度良く測定可能な装置及び方法を提供する。【構成】半導体イオン注入装置のプロセス室内に、イオンビームを挟むように一対の電極が設置されている。該電極は不純物が注入される標的にイオンビームが打ち込まれる場所の近傍に位置する。一方の電極は正の電圧を与えられ、ここに補集される電子の電流が測定される。他方の電極は負の電圧を与えられ、ここに補集されるイオン電流が分離して測定される。該2つの電流の値は合算され、荷電変換現象により生ずるイオンビームの減少を補償する信号として用いられる。
請求項（抜粋）：
半導体イオン注入装置のプロセス室内の標的前面にイオンビームを挟むように対向して設けられた一対の電極を用いて、イオンビームと残留ガスとの衝突により生成される2次電子と2次イオンとを同時に補集し、その電流値を測定し、該測定された電流値に基づいて、プロセス室内の真空度の変化により生ずるイオンビーム電流の変化を補償する、ことを特徴とする入射イオンの粒子個数測定方法。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, G01T 1/29
, H01J 37/04
, H01L 21/265
