特許

J-GLOBAL ID：200903016888961568

光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置

発明者： 土田 悟 ,  小坂 正彦 ,  広川 孝三 ,  中村 泰章
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-117032
公開番号（公開出願番号）：特開平8-311168
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：

【要約】【目的】 透明性、信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物の硬化体で封止された光半導体装置を提供すること。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を必須成分として含有してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。(A)1分子中に3個以上のエポキシ基を含有するエポキシ樹脂(B)下記一般式(I)で表され、かつフェノール性水酸基当量(g/eq)が200〜800の範囲にあるフェノール樹脂(C)硬化促進剤【化1】(但しn=0,2,4,・・・・・からなる混合物であり、n=0成分が占める割合は、混合物全体の20重量%以下である。)

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を必須成分として含有してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。(A)1分子中に3個以上のエポキシ基を含有するエポキシ樹脂(B)下記一般式(I)で表され、かつフェノール性水酸基当量(g/eq)が200〜800の範囲にあるフェノール樹脂(C)硬化促進剤【化1】(但しn=0,2,4,・・・・・からなる混合物であり、n=0成分が占める割合は、混合物全体の20重量%以下である。)

IPC (4件)：

C08G 59/62 NJF ,  C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

C08G 59/62 NJF ,  C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/30 R