特許

J-GLOBAL ID：200903016889486693

シリコン単結晶中の置換型炭素濃度の測定方法および自動測定装置

発明者： 窪田 寛 ,  玉塚 正郎 ,  北川原 豊
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 落合 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265648
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194310
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 シリコン単結晶中の置換型炭素濃度を正確に測ることができる方法および自動測定装置を提供する。【構成】 FT-IR法を用いて、シリコン単結晶中の置換型炭素濃度を測定するにあたり、被測定物(サンプル)であるシリコン単結晶から得られた赤外吸光度スペクトルと、前記サンプルと同一の製造法で製造された、フリーキャリア吸収が同程度で、かつ実質的に無炭素のシリコン単結晶(リファレンス)から得られた赤外吸光度スペクトルとから差係数を算出し、この差係数を用いて前記両赤外吸光度スペクトルから差吸光度スペクトルを求めて、この差吸光度スペクトルにおける置換型炭素の局在振動吸収ピークとベースラインとの距離から、サンプル中の置換型炭素濃度を定量する。

請求項（抜粋）：

フーリエ変換赤外分光測定法(以下、FT-IR法と称す)を用いて、シリコン単結晶中の置換型炭素濃度を測定するにあたり、被測定物(以下、サンプルと称す)であるシリコン単結晶から得られた赤外吸光度スペクトルと、前記サンプルと同一の製造法で製造された、フリーキャリア吸収が同程度で、かつ実質的に無炭素のシリコン単結晶(以下、リファレンスと称す)から得られた赤外吸光度スペクトルとから差係数を算出し、この差係数を用いて前記両赤外吸光度スペクトルから差吸光度スペクトルを求めて、この差吸光度スペクトルにおける置換型炭素の局在振動吸収ピークとベースラインとの距離から、サンプル中の置換型炭素濃度を定量するようにしたことを特徴とする、シリコン単結晶中の置換型炭素濃度の測定方法。