特許
J-GLOBAL ID：200903016891980310
レーザーアニール方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-152477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182923
出願日： 1991年05月28日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】結晶性が高く、しかもレーザーのエネルギー密度に対する依存性が小さく、さらに均一性に優れた多結晶シリコン膜を得るためのレーザーアニール方法を提供する。【構成】非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化する方法であって、レーザーを照射する前にその非晶質半導体膜の結晶化温度以下の温度で加熱アニールし、非晶質半導体中の水素を出すことにより不対結合手を形成させ、しかる後にレーザー光を照射するとによって、非晶質半導体膜を結晶化する。
請求項（抜粋）：
レーザー光を照射して非晶質半導体を結晶化させる工程であって、レーザーを照射する前に真空または不活性雰囲気中において非晶質半導体の結晶化温度以下の温度で加熱アニールし、さらに真空または不活性雰囲気中においてレーザー照射を行い前記加熱アニールされた非晶質半導体を結晶化させることを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
