特許

J-GLOBAL ID：200903016894211430

pn接合型発光ダイオード

発明者： 藤井 良久 ,  斉藤 肇 ,  鈴木 彰
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320847
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045647
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高輝度の青色を呈することのできるpn接合型発光ダイオードを提供する。【構成】 n型SiC単結晶基板10、その上に、第1のn型SiC単結晶層200と、第2のn型SiC単結晶層210と第1のp型SiC単結晶層300との組合せのpn接合層とからなり、第1のn型SiC単結晶層が1×1015cm3 より大で、前期基板電子濃度より小さい電子濃度を有し、0.1〜20μmの層厚を有するpn接合型SiC発光ダイオード。

請求項（抜粋）：

n型SiC単結晶基板、その上に、第1のn型SiC単結晶層と、第2のn型SiC単結晶層と第1のp型SiC単結晶層との組合せのpn接合層とからなり、第1のn型SiC単結晶層が、1×1015cm3 より大で前記基板の電子濃度より小さい電子濃度を有し、0.1〜20μm層厚を有するpn接合型SiC発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-150621
  
• 特開平2-290084
  
• 特開昭63-179516
  
• 特開昭58-121690