特許
J-GLOBAL ID：200903016897481404
高耐圧横型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330315
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156495
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】SOI基板上に形成され、オン耐圧を向上させた高耐圧横型半導体装置を提供すること。【解決手段】n+ ドレイン領域11をnバッファ領域14が取り囲み、nバッファ領域14をnドリフト領域3が取り囲み、nドリフト領域3をpウエル領域44が取り囲み、pウエル領域44の円弧部47には図8のn+ ソース領域6を形成せず、一方、pウエル領域44の直線部48にn+ ソース領域46を形成し、これらのpウエル領域44とn+ ソース領域46をp+ コンタクト領域45が取り囲んでいる。n+ ソース領域46のnドリフト領域側の一部上、pウエル領域44上およびnドリフト領域3の外周側上には図示しないゲート酸化膜が形成され、このゲート酸化膜上に図示しないゲート電極が形成される。このように、n+ ソース領域6を形成しないことによって、円弧部47でのアバランシェ増倍が抑制され、オン耐圧特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
第1半導体基板と、第1導電形の第2半導体基板が酸化膜を介して貼り合わされ、該第2半導体基板が所望の厚さまで研磨されて、形成された貼り合わせ基板で、該貼り合わせ基板の前記第2半導体基板の表面層に選択的に形成された第2導電形ウエル領域と、該第2導電形ウエル領域の表面層に選択的に形成された高濃度の第2導電形コンタクト領域と、前記第2導電形ウエル領域の表面層に、前記第2導電形コンタクト領域と部分的に重なるように選択的に形成された第1導電形ソース領域と、該第1導電形ソース領域と前記第1半導体基板に挟まれた第2導電形ウエル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第2導電形コンタクト領域上と前記第1導電形ソース領域上に形成されたソース電極と、前記第1半導体基板の表面層に前記第2導電形ウエル領域と離して、選択的に形成された高濃度の第1導電形ドレイン領域と、該第1導電形ドレイン領域上に形成されたドレイン電極を具備する高耐圧横型半導体装置において、前記第2導電形ウエル領域と前記第1導電形ドレイン領域の表面パターンが、一方が他方を取り囲む島状の形状、もしくは互いに取り囲む櫛の歯の形状であり、前記第2導電形ウエル領域端線と、前記第1導電形ドレイン領域端線とが対向し、該対向する前記第2導電形ウエル領域端線の長さが、前記第1導電形ドレイン領域端線の長さより長くなる箇所で、前記第1導電形ソース領域を形成しないことを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 622
5F040DB03
, 5F040EB01
, 5F040EF18
, 5F040EM01
, 5F040EM02
, 5F040EM03
, 5F040EM06
, 5F040FC11
, 5F110AA13
, 5F110BB04
, 5F110BB12
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110HM02
, 5F110HM12
, 5F110QQ16
