特許

J-GLOBAL ID：200903016898370959

半導体装置の製造方法

発明者： 朴 慶浩 ,  田中 義嗣 ,  加藤 善規 ,  佐藤 浩
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319896
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 メッキ層中に空孔を含まない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 メッキ処理を施す工程を2回に分けて行ない、被処理基板に第1のメッキ層を形成後、アニール処理をしてから更に第2のメッキ層を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくともメッキ処理装置と、アニール装置とを備えた処理システムを用いる、半導体装置の製造方法であって、被処理基板に第1のメッキ処理を施す工程と、前記被処理基板に第1のアニール処理を施す工程と、前記被処理基板に第2のメッキ処理を施して所定の厚さの導体層を形成する工程と、前記被処理基板に第2のアニール処理を施す工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  C25D 19/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (8件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  C25D 19/00 A ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 H ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 K

Fターム (50件)：

4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA06 ,  4K024CA15 ,  4K024CB02 ,  4K024CB03 ,  4K024CB09 ,  4K024CB13 ,  4K024DB01 ,  4K024DB07 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033LL06 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033WW10 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX19 ,  5F033XX34 ,  5F043AA27 ,  5F043DD16 ,  5F043EE08 ,  5F043EE40