薄膜トランジスタおよびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071105
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260651
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極・配線の断線とゲイト絶縁膜の破壊とを防止することによって信頼性、歩留りを向上させ、特性の改善を図る。【構成】基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜上もしくは下に密着してニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つを有する材料を選択的に設け、選択的に結晶化させ、このようにして得られた結晶化領域を薄膜トランジスタのチャネル形成領域、不純物領域として用い、また、結晶化しなかった領域によって薄膜トランジスタ間の絶縁分離をおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上に、結晶性を有する半導体領域と、結晶性を有しない半導体領域とを有する薄膜半導体と、前記薄膜半導体を覆って設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、前記結晶性を有する半導体領域を横断するゲイト電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/324 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 29/78 311 R , H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭59-195871
特開昭62-216271
特開平2-140915

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