特許

J-GLOBAL ID：200903016913361945

多値記憶装置内のメモリセルをテストするための方法および回路

発明者： マルコ・リバ ,  パオロ・ロランディ ,  マッシモ・モンタナロ
出願人/特許権者： エッセ・ティ・ミクロエレクトロニクス・ソシエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304998
公開番号（公開出願番号）：特開2000-137999
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 複数のメモリセルを有する多値記憶装置内のメモリセル、特にバージンメモリセルをテストするための方法を提供する。【解決手段】 記憶装置を構成する個々のメモリセルを読み、メモリセルの各々のものと1回に少なくとも1つの基準メモリセルとを比較して、メモリセルのしきい値が少なくとも1つの基準メモリセルのしきい値よりも低いかどうかを判定し、少なくとも1つの基準セルよりもしきい値が高いメモリセルの数を判定し、少なくとも1つの基準メモリセルはしきい値が徐々に高くなるよう選択され、さらに、しきい値が所与の基準しきい値より高いメモリセルの記憶装置に設けられる冗長メモリセルの数より十分に低いことがわかった場合、所与の基準しきい値が記憶装置のためのより低い基準しきい値であると仮定して、メモリセルのしきい値の統計的分布を判定する。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを有する多値記憶装置内のバージンメモリセルをテストするための方法であって、記憶装置を構成する個々のメモリセルを読み、前記メモリセルの各々のものと1回に少なくとも1つの基準メモリセルとを比較して、前記メモリセルのしきい値が前記少なくとも1つの基準メモリセルのしきい値よりも低いかどうかを判定するステップと、前記少なくとも1つの基準セルよりもしきい値が高い前記メモリセルの数を判定するステップとを含み、前記少なくとも1つの基準メモリセルはしきい値が徐々に高くなるよう選択され、前記方法はさらにしきい値が所与の基準しきい値より高いメモリセルの前記数が記憶装置に設けられる冗長メモリセルの数より十分に低いことがわかった場合、前記所与の基準しきい値が前記記憶装置のためのより低い基準しきい値であると仮定して、前記メモリセルのしきい値の統計的分布を判定するステップを含む、方法。

IPC (3件)：

G11C 29/00 673 ,  G06F 12/16 330 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 29/00 673 V ,  G06F 12/16 330 A ,  G11C 17/00 641