特許

J-GLOBAL ID：200903016917290112

成膜用基板

発明者： 木下 博之
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361753
公開番号（公開出願番号）：特開2002-167296
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】【課題】熱、及び化学安定性を有し、GaN薄膜と熱膨張率の整合した成膜用基板を提供する。【解決手段】Ca12Al14O33単結晶からなり、GaN薄膜を成膜するための主面を備えて成膜用基板とする。

請求項（抜粋）：

Ca12Al14O33(マイヤライト)単結晶からなり、窒化ガリウム化合物半導体を成膜するための主面を有することを特徴とする成膜用基板。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B 29/22 A ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL01 ,  5F103RR06