特許
J-GLOBAL ID：200903016925725063
誘電体バンドパスフィルタ
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354022
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175707
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 フィルタ特性において所望の周波数に減衰極を設定でき、且つ小型化及び低コスト化が可能な誘電体バンドパスフィルタを提供する。【構成】 誘電体ブロック2に平行な貫通孔4A,4Bを形成し、各貫通孔の内面に導体膜を形成して内導体6A,6Bとし、前記誘電体ブロック2の側面に導体膜を形成して外導体8とし、前記誘電体ブロック2の底面に導体膜10を形成して前記内導体6A,6Bと前記外導体8とを短絡させ、前記誘電体ブロック2の上面には内導体と接続せる導体膜片12A,12Bを形成して隣接内導体間にて容量結合を形成し、誘電体ブロック2の外形寸法S3 や貫通孔4A,4B間の距離S5 を適宜設定することにより、所望の周波数に減衰極を設定する。
請求項（抜粋）：
誘電体ブロックに複数の平行な貫通孔を形成し、各貫通孔の内面に導体膜を形成して内導体とし、前記誘電体ブロックの内導体と交わらない外面に導体膜を形成して外導体とし、前記貫通孔が開口せる前記誘電体ブロックの2つの外面のうちの一方に導体膜を形成して前記内導体と前記外導体とを短絡させ、前記貫通孔が開口せる前記誘電体ブロックの2つの外面のうちの他方には隣接する前記内導体間にて容量結合を形成する様に各内導体と接続せる導体膜片を形成し、フィルタ特性において通過周波数帯域の近傍に減衰極を形成する様に前記誘電体ブロックの貫通孔の配列間隔と該配列方向に直交する方向の誘電体ブロック寸法とを設定してなることを特徴とする、誘電体バンドパスフィルタ。
引用特許：
前のページに戻る
