特許

J-GLOBAL ID：200903016931703454

強誘電体FET素子

発明者： 渡部 行男
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-073857
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274195
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 チャンネル部との接触抵抗及び金属配線との接触抵抗が低く、かつ読み出し用のスイッチングトランジスターを容易に組み込む可能な強誘電体FET素子を提供すること。【構成】 基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有する強誘電体FET素子において、チャンネルが(1)希土類金属またはBi及び(2)周期表第4族から第11族の金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属元素を含むペロブスカイト構造の酸化物半導体から、ソース及びドレインが金属的電気伝導を示す酸化物導体からそれぞれ形成され、かつ、チャンネル上に少なくとも一部がペロブスカイト構造を有する強誘電体である金属酸化物層及びこれに接して設けられたゲート電極が形成されてなることを特徴とする強誘電体FET素子。

請求項（抜粋）：

基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有する強誘電体FET素子において、チャンネルが(1)希土類金属またはBi及び(2)周期表第4族から第11族の金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属元素を含むペロブスカイト構造の酸化物半導体から構成され、ソース及びドレインが金属的電気伝導を示す酸化物導体により形成され、該チャンネル上に少なくとも一部がペロブスカイト構造を有する強誘電体である金属酸化物層及びこれに接して設けられたゲート電極が形成されてなることを特徴とする強誘電体FET素子。

IPC (9件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C01G 3/00 ,  C30B 23/00 ,  C30B 29/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 371 ,  C01G 3/00 ,  C30B 23/00 ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 B