特許
J-GLOBAL ID：200903016934413180
半導体デバイスおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-133452
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス形表示方式半導体デバイスである特にLCDパネルの接続端子部において、高湿度環境下でも金属配線の腐食による端子間リークによる短絡発生を抑え、信頼性を高められるようにする。【解決手段】 下部ガラス基板2から引き出されて外部駆動用LSI等に接続するための接続端子部3において、この上層金属配線に端子間短絡防止パターンを形成する。この端子間短絡防止パターンは凹部4と島部5よりなっており、島部5上に保護絶縁膜のコンタクトホール12aが位置するように形成される。保護絶縁膜は高吸湿性を有し、外部からの湿気浸入を防止するに有効である。島部5に腐食が生じた場合、腐食進行はそれを取り囲む凹部4で遮断され、せいぜい島部5のみの腐食に止める。すなわち、島部5から溶出した金属イオンが外部に流出せず、端子間リークによる短絡発生を抑える。
請求項（抜粋）：
外部駆動回路に接続して画素電極に電圧を印加するために、基板から引き出された金属配線よりなる複数の接続端子部を有する半導体デバイスにおいて、前記接続端子部の金属配線に島部とこれを取り囲む凹部よりなる端子間短絡防止パターンを設け、前記島部の少なくとも一部を除いて前記凹部の内部を含む前記金属配線の表面を保護絶縁膜によって覆い、この保護絶縁膜で覆われない部分の前記島部上がコンタクトホールとなっており、コンタクトホールの内面と島部の上面を含む前記保護絶縁膜の表面に透明導電膜を堆積してなっていることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (4件)：
G02F 1/1345
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/1345
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 D
