特許
J-GLOBAL ID：200903016941305660
高耐圧半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058336
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275852
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】ガードリング領域および半絶縁膜を備えた高耐圧半導体装置のターミネーション構造において、シリコン基板の比抵抗を高くすることなく、高耐圧を確保すること。【構成】ターミネーション構造の上部に半絶縁膜を設け、ガードリング領域端部のシリコン表面に露出したPN接合の電位と、これと同位置での低抵抗膜上の電位が一致し、且つ半絶縁膜上の電位がシリコン表面の電位に対してP層上では高く、N層上では低くする。この時、表面に露出したPN接合に拡がる空乏層が表面において、P層,N層共に拡張される。また、半絶縁膜により電界をシールドでき、空乏層に及ぼす表面保護材などの電荷の影響を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の両主表面に主電極を備え、一面の第一導電型の半導体基板の表面に第二導電型の第一のガードリング領域が選択的に形成され、第一のガードリング領域より低濃度の第二導電型の第二のガードリング領域が、前記第一のガードリング領域に接して形成され、他面の主電極と同電位になる縁部側への基板表面部に前記半導体基板と同一導電型の第三のガードリング領域が選択的に形成され、前記ガードリング領域を形成した主表面上に第一の絶縁膜を有し、この第一の絶縁膜上を半絶縁膜で覆った高耐圧半導体装置において、前記第二のガードリング領域の主表面のPN接合での電位と、同位置での前記半絶縁膜の電位が一致し、P型半導体上では半導体表面に比べ半絶縁膜上の電位を高く、N型半導体上では半導体表面に比べ半絶縁膜上の電位を低くしたことを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (2件)：
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