特許
J-GLOBAL ID：200903016942794524
半導体材料の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡澤 英世 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-155364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-061806
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：
【要約】【目的】 従来の方法に比べて、より短時間でより安価に半導体材料を製造する方法の提供。【構成】 特定な触媒を使用してヒドロシランモノマーを脱水素縮合し、得られた縮合物を熱分解する。
請求項（抜粋）：
【化1】(式中、R1 及びR2 は同一又は互いに異なり、水素、炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、炭素数7〜12のアラルキル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数6〜12のアリ-ル基から選ばれる。)【化2】(式中、R6 〜R10はそれぞれ同一又は互いに異なり、水素、炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、炭素数7〜12のアラルキル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数6〜12のアリ-ル基から選ばれる。但し、R6 〜R10のいずれか一つは必ず水素である。)【化3】(式中、R11〜R17はそれぞれ同一又は互いに異なり、水素、炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、炭素数7〜12のアラルキル基、ハロゲン化アラルキル基、炭素数6〜12のアリ-ル基又は下記の化4で示されるシリル基から選ばれる。但し、R11〜R17のいずれか一つは必ず水素である。)【化4】R3 R4 R5 Si-(式中、R3 〜R5 はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数6〜10のアリ-ル基から選ばれる。)上記の化1で示されるヒドロモノシラン、化2で示されるヒドロジシラン及び化3で示されるヒドロシランからなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のヒドロシラン類を、(a) 周期律表第3B族〜第7B族又は第8族から選ばれる少なくとも1種の金属又は金属化合物、(b) 上記(a) と下記の化5で示されるシリル化合物との混合物、及び(c) 上記(a) と下記の化6で示される金属(重)水素化物との混合物からなる群から選ばれる触媒の存在下に脱水素縮合し、得られた縮合物を熱分解することからなる半導体材料の製造法。【化5】R18R19R20SiA(式中、R18〜20はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数7〜12のアラルキル基、炭素数6〜12のアリ-ル基又は上記化2で示されるシリル基から選ばれ、AはLi、Na又はKである。)【化6】A ́Xn(式中、A ́はLi、Na、K、Ca、Al、R21(3-n) Al、LiAl、LiAlR22(4-n) 、NaAlR22(4-n) 、B、R21(3-n) B、LiB、LiBR22、NaB、KB又はR23Bを表し、R21は炭素数1〜5のアルキル基、R22は炭素数1〜8のアルキル基又はアルコキシ基、R23は水素あるいは炭素数1〜4のアルキル基を有する第4級アンモニウムであり、Xは水素又は重水素であり、nは1〜4の整数である。但し、nが1〜3である場合、個々のR21、R22及びR23はそれぞれ異種であって差し支えない。)
IPC (3件)：
C01B 33/00
, C08G 77/60 NUM
, H01L 21/208
