特許
J-GLOBAL ID：200903016943405700
磁気記憶体およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232387
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065351
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 ヘッドとの接触摺動による摩耗を減少させ摩擦力の増加を抑えた磁気記憶体を提供する。【構成】 磁性媒体を含む下地体1の上に、炭素膜保護膜2、潤滑層4が被覆された構造を有する磁気記憶体において、炭素膜保護膜2表面にダングリングボンド3を形成し、潤滑層4の官能基とその一部とが結合し、他のダングリングボンドは結合せずに残存している状態とする。
請求項（抜粋）：
磁性媒体を含む基板上に、表面にダングリングボンドを有する炭素薄膜からなる保護膜が形成され、さらに前記ダングリングボンドの一部と結合した潤滑膜が被覆された磁気記憶体であって、ダングリングボンド密度と潤滑膜の官能基密度との比である吸着サイト比(ダングリングボンド密度/潤滑膜の官能基密度)が1を超えることを特徴とする磁気記憶体。
引用特許：
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