特許

J-GLOBAL ID：200903016944383734

光半導体装置及びその製造方法

発明者： 藤原 章裕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283577
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119839
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】歩留りの低下や特性劣化がなく、かつ高輝度・高効率が得られ、プロセスコストを抑えた光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の化合物半導体基板1と、この基板1上に順次形成される第1導電型クラッド層3、活性層4、第2導電型クラッド層5を有するInGaAlP系或いはAlGaAs系の化合物半導体からなる発光層2を備え、発光層2或いはその上層に形成される光取出し面に、発光波長以下の高さ及び幅を有する凹凸領域8を形成する、或いは、第1導電型の化合物半導体基板1上に、第1導電型クラッド層3、活性層4、第2導電型クラッド層5を有するInGaAlP系或いはAlGaAs系の化合物半導体からなる発光層2と、この発光層直上においてほぼ格子整合し、格子定数が下層から上層にかけて段階的に変化するグレーディッド層6と、このグレーディッド層6の最上層とほぼ格子整合し、発光波長に対して透明な電流拡散層7を備える構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の化合物半導体基板と、この基板上に順次形成される第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層を有するInGaAlP系或いはAlGaAs系の化合物半導体からなる発光層を備え、前記発光層或いはその上層に形成される光取出し面に、発光波長以下の高さ及び幅を有する凹凸が形成されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/3065

FI (2件)：

H01L33/00 B ,  H01L21/302 105A

Fターム (28件)：

5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004DB23 ,  5F004EA08 ,  5F004EA38 ,  5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77