特許

J-GLOBAL ID：200903016945985231

CMOSイメージセンサおよびイメージセンサユニット

発明者： 村田 隆彦 ,  田中 栄一郎 ,  中村 哲朗 ,  山口 和文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234317
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074500
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 感度が高く、解像度が良好で忠実な読み取りのできるCMOSイメージセンサおよびイメージセンサユニットを提供するを目的とする。【解決手段】 ダブルウェル構造のCMOSプロセスにおいて、不純物濃度がN型であれば4×1014cm-3以下、P型であれば1×1015cm-3以下であるベース基板を共通電極とし、ベース基板に所望のピッチおよびサイズで形成した異種導電性の拡散層のアレイを個別電極としたフォトダイオードを用い、フォトダイオードアレイに隣接する回路を、ベース基板と異なるタイプのウェル領域に形成し、ウェル領域の電位をベース基板がN型であれば最低電位に、P型であれば最高電位にするとともに、フォトダイオードアレイ内の各フォトダイオードの間にベース基板と異なるタイプの拡散層を設け、拡散層の電位をベース基板がN型であれば最低電位に、P型であれば最高電位にする。

請求項（抜粋）：

少なくとも、フォトダイオードアレイ、走査回路、アクセス回路、増幅回路から構成され、シリコンベース基板上に形成したCMOSイメージセンサにおいて、前記走査回路、前記アクセス回路、前記増幅回路はダブルウェル構造のCMOSプロセスによって形成したデバイス構造であり、前記フォトダイオードアレイ内のフォトダイオードはベース基板を共通電極とし、前記ベース基板に所望のピッチおよびサイズで形成した異種導電性の拡散層のアレイを個別電極としたことを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 1/028 ,  H04N 1/19

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 1/028 Z ,  H04N 1/04 102