特許
J-GLOBAL ID:200903016948007974
レジスト処理方法およびレジスト処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-290494
公開番号(公開出願番号):特開平7-142355
出願日: 1993年11月19日
公開日(公表日): 1995年06月02日
要約:
【要約】【目的】 レジスト塗布/現像装置における温度およびプロセス時間の制御性を高め、レジスト・パターンの線幅安定性を向上させる。【構成】 基板の冷却または温調を行う冷却/温調ユニット(C)5と、疎水化処理,プリベーク,PEB(露光後熱処理),ポストベーク等を行う加熱ユニット(HP)8との間のウェハ搬送を、装置の主搬送系2とは独立の専用搬送系6を用いて行う。【効果】 プロセス温度が大きく異なる工程間またはユニット間でウェハを搬送する場合にも、搬送アームを介した不要な熱伝導が防止でき、レジスト塗布膜厚や現像速度が均一化できる。専用搬送系により連結されるユニット内でのプロセス時間を、主搬送系の占有状態に依存せずに制御できる。ウェハ環境の影響を受け易い化学増幅系レジスト材料による正確なパターン形成が可能となる。
請求項(抜粋):
少なくとも1回の加熱工程と、少なくとも1回の冷却/温調工程と、少なくとも1回の他の工程とを含む3種類以上の工程間で搬送系を用いて基板を順次搬送しながら該基板上で所定のレジスト処理を行うレジスト処理方法において、前記加熱工程と前記冷却/温調工程との間では、これ以外の工程間で用いられる搬送系とは独立した専用搬送系を用いて前記基板を搬送することを特徴とするレジスト処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 7/26
, H01L 21/68
FI (3件):
H01L 21/30 566
, H01L 21/30 568
, H01L 21/30 571
引用特許:
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