特許

J-GLOBAL ID：200903016951730199

固体撮像素子

発明者： 原田 耕一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322930
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144279
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 大型化と低価格化を共に実現することができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】 基板2上に薄膜トランジスタによるスイッチ素子15が形成され、このスイッチ素子15に接続された画素電極11を介してアモルファス半導体層12によるセンサ領域が積層されて成る固体撮像素子1を構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜トランジスタによるスイッチ素子が形成され、上記スイッチ素子に接続された画素電極を介して、アモルファス半導体層によるセンサ領域が積層されて成ることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (27件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  5C024BA01 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5F049MA01 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA18 ,  5F049NB05 ,  5F049RA08 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049UA07