特許

J-GLOBAL ID：200903016957199010

検査基体の欠陥検査方法および装置

発明者： 水野 尊司
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 川崎 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008797
公開番号（公開出願番号）：特開2001-201429
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 光透過性で屈折率または厚み変化による微少欠陥や光量変化の乏しい微少欠陥等についても容易かつ効果的に検出できるようにする。【解決手段】 検査基体に照射光を照射して、その透過光あるいは反射光を一次元CCD素子で受光し、該受光光量によって検査基体の表面ないしは内部欠陥の有無を検出する欠陥検査方法において、前記検査基体11に対して平面波もしくは可及的平面波に近い照射光13を照射し、該検査基体11の表面ないしは内部欠陥の回折パターン像をスクリーン14上に投影させた後、該投影像15を一次元CCD素子18上に結像させて受光し、該受光光量によって検査基体11の表面ないしは内部欠陥を検出する。

請求項（抜粋）：

検査基体に照射光を照射して、その透過光あるいは反射光を一次元CCD素子で受光し、該受光光量によって検査基体の表面ないしは内部欠陥の有無を検出する欠陥検査方法において、前記検査基体に対して平面波もしくは可及的平面波に近い照射光を照射し、該検査基体の表面ないしは内部欠陥の回折パターン像をスクリーン上に投影させた後、該投影像を一次元CCD素子上に結像させて受光し、該受光光量によって検査基体の表面ないしは内部欠陥を検出することを特徴とする検査基体の欠陥検査方法。

IPC (4件)：

G01M 11/00 ,  G01N 21/958 ,  G06T 7/00 ,  H04N 7/18

FI (4件)：

G01M 11/00 T ,  G01N 21/958 ,  H04N 7/18 B ,  G06F 15/62 405 A

Fターム (38件)：

2G051AA41 ,  2G051AA42 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051AB04 ,  2G051AB06 ,  2G051AB07 ,  2G051BB05 ,  2G051CA03 ,  2G051CB01 ,  2G051CB02 ,  2G051CB05 ,  2G051CB06 ,  2G086EE10 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057BA11 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CA13 ,  5B057CB08 ,  5B057CB12 ,  5B057CB13 ,  5B057CC01 ,  5B057DA03 ,  5B057DA16 ,  5B057DB02 ,  5B057DB03 ,  5B057DB09 ,  5C054AA01 ,  5C054AA05 ,  5C054AA06 ,  5C054CA04 ,  5C054CC03 ,  5C054EA01 ,  5C054EH07 ,  5C054EJ07 ,  5C054HA05