特許
J-GLOBAL ID：200903016959207690
光起電力素子の形成方法及びそれに用いる薄膜製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116734
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326783
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 変換効率が高く、量産効果の優れた光起電力素子の形成方法及び装置を提供することを目的とする。【構成】 金属部材上に直接スパッタリング法によって第1の金属酸化膜を形成する工程と、該第1の金属酸化膜上に反応性スパッタリング法によって第2の金属酸化膜を形成する工程と、該第2の金属酸化膜上に半導体を形成する光起電力素子の形成方法によって達成される。
請求項（抜粋）：
金属部材上に直接スパッタリング法によって第1の金属酸化膜を形成する工程と、該第1の金属酸化膜上に反応性スパッタリング法によって第2の金属酸化膜を形成する工程と、該第2の金属酸化膜上に半導体を形成することを特徴とする光起電力素子の形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 E
, H01L 31/04 M
, H01L 31/04 T
