特許
J-GLOBAL ID：200903016959871956
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-165664
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013654
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路装置のより高密度化及び薄型化を実現することが出来る新規な組立構造を提供すること。【構成】インナーリードと当該インナーリードより更に半導体チップ側に配設されたバスバーとを有するリードフレームを使用して半導体チップを固定し、当該チップの電極端子とインナーリード及びバスバーとの間をボンディグワイヤをもって結線する。バスバーの表面には、ボンディグワイヤとの接触を防止するための絶縁部材を配設する。絶縁部材は、例えば絶縁塗料をバスバーの表面に塗布するか、ポリイミドフィルム等のような絶縁フィルムをバスバーの表面に貼付することによって形成することが出来る。絶縁塗料の代わりに絶縁性の接着剤又は粘着剤を使用することも可能である。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上まで延長するインナーリードと当該インナーリードよりも更に半導体チップ側に配設されたバスバーとを有するリードフレームを使用し、インナーリードの先端及びバスバーの上に固定した半導体チップの電極端子と当該インナーリード及びバスバーとの間をボンディグワイヤをもって結線する構造の集積回路装置において、ボンディグワイヤとバスバーとの接触を防止するための絶縁部材が当該バスバーの表面に配設されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50
, H01L 21/60 301
