多層体を作製するための方法及び組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-512647
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505888
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：

【要約】本発明は、多層体を作製するための方法及び組成物に関する。この組成物は、亀裂及び/又はふくれがほとんど見られない超伝導体材料中間体を生成し得る比較的高速の方法に用い得る。組成物は、比較的低い水分含有率を有し得る。

請求項（抜粋）：

溶液を第1の層の表面に塗布する工程と、前記溶液は、第1の金属の第1の塩、第2の金属の第2の塩、希土類金属の第3の塩を含有し、前記第1の塩、第2の塩、第3の塩の内少なくとも1つのはトリフルオロアセテート塩であることと、希土類金属-第2の金属-第1の金属-酸化物の中間体の層を形成するために、前記溶液を約5時間未満処理する工程と、前記中間体の層は前記第1の層の表面に隣接する面を有し、又前記中間体の層は複数の体積要素から構成されることととからなる方法であって、前記中間体層中に含まれる欠陥は、前記中間体層の表面1平方センチメートルの投影部が画成する中間体層のあらゆる体積要素の約20パーセント未満からなり、かつ前記中間体層には、最大寸法が約200ミクロンを超える欠陥がないことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 39/24 ZAA , H01B 12/06 , H01B 13/00 565

FI (3件)：

H01L 39/24 ZAA B , H01B 12/06 , H01B 13/00 565 D

Fターム (17件)：

4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD68 , 4M113BA01 , 4M113BA04 , 4M113BA07 , 4M113BA08 , 4M113BA11 , 4M113BA23 , 4M113BA29 , 4M113CA34 , 5G321AA01 , 5G321AA04 , 5G321BA07 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321DB25

引用文献：

審査官引用 (2件)

High critical current density thick MOD-derived YBCO films
半導体プロセス材料実務便覧, 19830425, p.211

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