特許
J-GLOBAL ID:200903016964672279
発光素子
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-509687
公開番号(公開出願番号):特表2007-525000
出願日: 2004年04月06日
公開日(公表日): 2007年08月30日
要約:
発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
請求項(抜粋):
光発生領域、及び光発生領域によって支持される第1層備えた、複数の材料の多層積層体と、前記第1層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子から第1層の表面を通して放出可能に形成されていることと、
前記第1層の表面と接触する材料と、この材料は約1.5未満の屈折率を有することとを備え、
パッケージングされる、発光素子。
IPC (4件):
H01L 33/00
, H01L 51/50
, H05B 33/04
, H05B 33/02
FI (5件):
H01L33/00 N
, H01L33/00 C
, H05B33/14 A
, H05B33/04
, H05B33/02
Fターム (21件):
3K107AA01
, 3K107CC05
, 3K107CC09
, 3K107CC24
, 3K107DD18
, 3K107EE33
, 3K107EE42
, 5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041AA22
, 5F041AA33
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB15
, 5F041DA12
, 5F041DA42
, 5F041DA44
引用特許:
審査官引用 (3件)
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-105600
出願人:日本電気株式会社
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-155352
出願人:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
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窒化物半導体素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-073311
出願人:日亜化学工業株式会社
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