特許

J-GLOBAL ID：200903016964878799

半導体磁気センサ

発明者： 今村 健一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161443
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005882
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 共鳴トンネリングバリアを利用したRHET型半導体磁気センサに関し、キャリア散乱が少なく、高感度で感応速度が速い、磁場変動感知に優れた半導体磁気センサを提供することを目的とする。【構成】 量子井戸を含む第1の共鳴トンネリングバリア層(RTB)を有するエミッタと、該第1のRTBに接し、キャリアがバリスチック走行可能な厚みを有するベース層と、該ベース層に接した第2のRTBを有するコレクタとを有する。

請求項（抜粋）：

量子井戸を含む第1の共鳴トンネリングバリア層(RTB)(11)を有するエミッタ(12)と、該第1のRTB(11)に接し、キャリアがバリスチック走行可能な厚みを有するベース層(13)と、該ベース層(13)に接した第2のRTB(14)を有するコレクタ(15)とを有する共鳴ホットエレクトロントランジスタ(RHET)型半導体磁気センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/82 ,  G01R 33/06