特許

J-GLOBAL ID：200903016978987302

不良救済処理情報の生成方法及びその装置

発明者： 伊 藤 治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066982
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260878
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 不良箇所の救済処理を行う際、回路設計情報から人的に情報を抽出して試験装置や救済処理装置が必要とする救済処理情報を生成する作業を排除し、開発効率を向上させる。【解決手段】 不良救済処理情報生成手段2-20が、回路設計データベース2-6とレイアウトデータベース2-7とを含む回路設計情報群2-1を用いて、半導体試験装置2-4に必要な救済処理条件2-8及びヒューズデータ生成条件2-9と、レーザ救済処理装置2-5に必要なヒューズ座標情報及びヒューズ溶断順序情報2-10とを自動的に生成する。

請求項（抜粋）：

半導体記憶素子の不良箇所を冗長回路に置換するために必要な情報を生成する装置において、半導体記憶素子の回路設計情報を与えられて、試験装置が不良箇所の救済判定を行うために必要な救済処理条件と、救済処理装置が不良箇所と前記冗長回路とを置換するために必要な置換処理条件とを生成する不良救済処理情報生成手段を備えることを特徴とする不良救済処理情報生成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50 ,  G11C 29/00 655

FI (3件)：

H01L 21/82 F ,  G11C 29/00 655 Z ,  G06F 15/60 658 R

Fターム (15件)：

5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046JA01 ,  5B046KA05 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF42 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12 ,  5L106CC00 ,  5L106CC04 ,  5L106CC08 ,  5L106CC12 ,  5L106CC13