特許
J-GLOBAL ID：200903016982308355
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294094
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151829
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 抵抗加熱炉で形成されたシリコン窒化酸化膜を絶縁膜として用い、その膜上にゲート電極を形成する半導体装置において、ポリシリコン膜からゲート絶縁膜を介してボロンがシリコン基板中に拡散する、いわゆるボロンの突き抜けを防止する。【構成】 シリコン窒化酸化膜、またはシリコン窒化酸化膜とシリコン基板との界面に窒素原子をイオン注入する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に抵抗加熱炉で形成されたシリコン窒化酸化膜をゲート絶縁膜として用い、当該膜上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン窒化酸化膜、またはシリコン窒化酸化膜とシリコン基板との界面に窒素原子をイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/265
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/265 P
, H01L 29/78 301 P
