特許

J-GLOBAL ID：200903016983075117

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹内 健 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061374
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251790
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 リード・ディスターブ等の不都合を招くことなく、ランダムリードの高速化をはかる。【解決手段】 一端が第1の信号線11に接続され、他端が第2の信号線12に接続され、ワード線により選択される複数の不揮発性メモリセルを含むNAND型のメモリセルユニットを、マトリクス状に配置してなるメモリセルアレイを備えたEEPROMにおいて、第1の信号線11にスイッチ素子SW1を介して接続された第3の信号線13と、第2の信号線12にスイッチ素子SW2を介して接続された第4の信号線14と、一端が第3の信号線13に接続され、他端が第1の基準電位Vp1に接続された第1のコンデンサC1と、一端が第4の信号線14に接続され、他端が第2の基準電位Vp2に接続された第2のコンデンサC2とを設けた。

請求項（抜粋）：

一端が第1の信号線に接続され、他端が第2の信号線に接続され、ワード線により選択される少なくとも1個の不揮発性メモリセルを含むメモリセルユニットを、マトリクス状に配置してなるメモリセルアレイと、第1の信号線にスイッチ素子を介して接続された第3の信号線と、第2の信号線にスイッチ素子を介して接続された第4の信号線と、一端が第3の信号線に接続され、他端が第1の基準電位に接続された第1のコンデンサと、一端が第4の信号線に接続され、他端が第2の基準電位に接続された第2のコンデンサと、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 520 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371