特許

J-GLOBAL ID：200903016985846773

光磁気記録媒体

発明者： 太田 真澄 ,  荒谷 勝久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219379
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068532
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 磁性層が多層膜構造とされた光磁気記録媒体を用いて再生時の高解像度化をはかると共に、記録に必要な磁界を抑制して、高周波の磁界変調による記録再生を可能とする。【構成】 少なくとも再生層11と記録層13とこれらの層間に介在する切断層12とを有し、再生層11の磁化状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録媒体10において、再生層11をGdFeCoを主体とし、室温で遷移金属優勢膜のときはMs<SB>1 </SB><150emu/cc 、室温で希土類金属優勢膜の場合はMs<SB>1 </SB><160emu/cc とし、切断層13をTbFeCoを主体とし、そのキュリー温度を 600〜200 °Cとして且つ再生層11及び記録層13のキュリー温度に比し低い温度とし、記録層13をTbFeCoを主体として、室温で遷移金属優勢膜で有る場合はMs<SB>3 </SB><100emu/cc、室温で希土類金属優勢膜である場合はMs<SB>3 </SB><160emu/cc とし、再生層が遷移金属優勢膜である場合は記録層は希土類金属優勢膜とし、その飽和磁化の差Ms<SB>1</SB>-Ms<SB>3 </SB>を40emu/cc以下として構成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも再生層と、記録層と、これらの層間に介在する切断層とを有し、上記再生層の磁化状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録媒体において、上記再生層はGdFeCoを主体として構成され、室温で遷移金属優勢膜である場合はその飽和磁化Ms<SB>1 </SB>がMs<SB>1 </SB><150emu/cc、室温で希土類金属優勢膜である場合はMs<SB>1 </SB><160emu/ccとされ、上記切断層はTbFeCoを主体として構成され、そのキュリー温度は60〜200°Cであって、且つ上記再生層及び上記記録層のキュリー温度に比し低い温度とされ、上記記録層はTbFeCoを主体として構成され、室温で遷移金属優勢膜で有る場合はその飽和磁化Ms<SB>3 </SB>がMs<SB>3 </SB><100emu/cc、室温で希土類金属優勢膜である場合はMs<SB>3 </SB><160emu/ccとされ、上記再生層が遷移金属優勢膜とされるときは上記記録層が希土類金属優勢膜とされ、且つ上記再生層の飽和磁化Ms<SB>1 </SB>と上記記録層の飽和磁化Ms<SB>3 </SB>との差Ms<SB>1 </SB>-Ms<SB>3 </SB>が40emu/cc以下とされることを特徴とする光磁気記録媒体。