特許
J-GLOBAL ID：200903016985994110
不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106848
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152579
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 書き込み効率を向上すること。【構成】 第1電極4(補助ゲート)の側壁に側壁ポリシリコン電極をフローティングゲート11aとして用いた。【効果】 書き込み効率を向上でき、5ボルト以下の単一供給電圧で、かつ1μsの速さで書き込みを行うことができ、しかも単一のパワーソースで満たされた不揮発性メモリを得ることができる。また、メモリセルの面積の縮小を図ることができる。更に、10μA程度の低いプログラム電流の高電圧発生回路の作成が容易に実現できる。
請求項（抜粋）：
第1,第2の不純物拡散層を有する半導体基板と、これら第1,第2の不純物拡散層間で、かつ第1の不純物拡散層側の半導体基板上に配設される第1絶縁膜と、第1,第2の不純物拡散層間で、かつ第1の不純物拡散層とは反対側に位置する第2の不純物拡散層の領域まで延設されたトンネル絶縁膜とを有し、第1絶縁膜上に形成される第1電極と、トンネル絶縁膜上に形成され、かつ第1電極の側壁に絶縁膜を介して形成されるフローティングゲートと、第2絶縁膜を介して少なくともフローティングゲート上に配設され、それによってフローティングゲートの電位を制御しうる第2電極とからなるメモリセルを備え、第1電極下に形成され第1電極によって制御される反転層からチャネルホットエレクトロンがフローティングゲートへ注入されることを可能とする不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
