特許

J-GLOBAL ID：200903016991226930

半導体装置およびその製造方法

発明者： 四元 隆広 ,  田中 憲三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314629
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150725
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】小型化、薄型化され、放熱性に優れ、製造工程を簡略化することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子11と、半導体素子11を保持するダイパッド部材5と、半導体素子11から離間し、ダイパッド部材5と同一平面上に複数配設されたリード部材3と、半導体素子11と各リード部材3とを電気的に接続する金属細線6と、金属細線6を含む、半導体素子11、ダイパッド部材5およびリード部材3を表面側から封止固定する封止樹脂Rからなるパッケージ本体2とを有し、ダイパッド部材5およびリード部材3の裏面は、パッケージ本体2から露出している。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を保持する保持部材と、前記半導体素子から離間し、前記保持部材と同一平面上に複数配設された端子部材と、前記半導体素子と前記各端子部材とを電気的に接続する金属細線と、前記金属細線を含む、半導体素子、保持部材および端子部材を表面側から封止固定する封止樹脂からなるパッケージ本体とを有し、前記保持部材および端子部材の裏面は、前記パッケージ本体から露出している半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301

FI (4件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 23/28 B ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 301 B

Fターム (12件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109DB03 ,  5F044AA01 ,  5F044JJ03 ,  5F044JJ05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061FA05