特許

J-GLOBAL ID：200903016993284733

半導体集積回路

発明者： 得能 誠司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169827
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005611
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】微細プロセスにおいて機能を柔軟に変更できるリコンフィギュラブル回路を実現するに当たり、不要な領域での消費電力の削減、用途に応じた高性能化の実現が課題となる。【解決手段】高閾値電圧トランジスタ領域108と低閾値電圧トランジスタ領域109とを備えたリコンフィギュラブル回路107と、いずれのトランジスタ領域で回路を実現するかを制御する回路展開制御部105と、使用トランジスタ領域のみに電源電圧の印加を行う電源電圧制御部106と、回路情報を蓄積するメモリ100からなり、高性能な回路を実現する際には、低閾値電圧トランジスタ領域109に回路展開し、高閾値電圧トランジスタ領域108への電源供給を遮断し、逆に低リーク回路を実現するときには、高閾値電圧トランジスタ領域108で回路展開し、低閾値電圧トランジスタ領域109への電源供給を遮断する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

低リークトランジスタで構成された高閾値電圧トランジスタ領域と高速トランジスタで構成された低閾値電圧トランジスタ領域からなるリコンフィギュラブル回路部を搭載した半導体集積回路であって、 リコンフィギュラブルロジックで実現する回路の機能、動作周波数、面積、閾値電圧などの情報を蓄積するメモリ部と、 前記メモリ部に蓄積された機能または動作周波数の情報に基づいて、前記高閾値電圧トランジスタ領域と前記低閾値電圧トランジスタ領域のいずれで回路を実現するかを決定する回路展開制御部と、 前記回路展開制御部による決定事項に基づいて、前記リコンフィギュラブル回路部への電源供給について使用トランジスタ領域には電源を供給し、非使用トランジスタ領域には電源遮断を行う電源電圧制御部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (4件)：

H01L21/82 A ,  H01L27/04 M ,  H01L27/04 F ,  H01L21/82 S

Fターム (17件)：

5F038BG09 ,  5F038CD02 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF16 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA08 ,  5F064BB15 ,  5F064CC06 ,  5F064CC30 ,  5F064DD35 ,  5F064DD50 ,  5F064EE52 ,  5F064FF07 ,  5F064FF36 ,  5F064FF45