特許

J-GLOBAL ID：200903016993594449

力学量測定装置

発明者： 谷江 尚史 ,  澄川 貴志 ,  太田 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-080835
公開番号（公開出願番号）：特開2006-266683
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】ひずみ測定を行う場合,半導体の基板となるシリコンがを薄くした場合にはシリコン表面が配線などの部材の影響を受けることで測定部のひずみが乱れて測定精度が低下する。【解決手段】ひずみ検出半導体素子の裏面を測定対象との接着面として,ひずみ検出半導体素子を支持する配線基板とひずみ検出半導体素子との間に弾性率の小さな部材をを設ける。 【効果】 ひずみ検出半導体素子を支持しつつ、支持する配線基板の剛性や熱変形がひずみ検出半導体素子に及ぼす影響を小さくできる。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ひずみ検出半導体素子の第1の主面を測定対象に接合して該測定対象のひずみを検出する半導体力学量測定装置において, 上記ひずみ検出半導体素子は、該ひずみ検出半導体素子の第2の主面側で第1の弾性体を介して配線基板に支持され,上記ひずみ検出半導体素子と上記第1の弾性体との接合端部の少なくとも一部は樹脂で補強されており,上記第1の弾性体は上記樹脂よりも弾性率が小さいことを特徴とする半導体力学量測定装置。

IPC (1件)：

G01B 7/16

FI (1件)：

G01B7/18 H

Fターム (11件)：

2F063AA25 ,  2F063CA28 ,  2F063CA29 ,  2F063CA33 ,  2F063DA02 ,  2F063EC03 ,  2F063EC06 ,  2F063EC14 ,  2F063EC16 ,  2F063EC26 ,  2F063EC30

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プロテクタ付きひずみゲージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-224567   出願人：株式会社共和電業
• ひずみゲージ添着個所被覆構造およびその被覆方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-198861   出願人：株式会社共和電業