特許

J-GLOBAL ID：200903017001319219

負イオン源

発明者： 浅野 史朗 ,  奥山 利久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230859
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057160
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】負イオンとともに引き出される電子のうち、加速される電子の量を抑制することが可能とする。【解決手段】放電プラズマから負イオンを引き出して加速するビーム引き出し孔が複数穿設され、かつビームの進行方向に対して複数段設置された電極を有し、この複数段設置された電極のうち、ビームBの進行方向に対して第2の電極7のビームの入口部分に設けられ、かつ引き出される電子量を抑え電子軌道を偏向させる磁場を形成する第1の磁場形成手段21と、第2の電極7のビームBの出口部分に設けられ、かつビームB軸と直交する方向に磁場を形成する第2の磁場形成手段26とを備えた。

請求項（抜粋）：

放電容器と、この放電容器を真空に排気する手段と、前記放電容器に放電の原料ガスを供給する手段と、前記放電容器内に放電プラズマを生成するための手段と、前記放電プラズマから負イオンを引き出して加速するためにビーム引き出し孔がそれぞれ複数穿設され、かつビームの進行方向に対して複数段設置された電極とを有する負イオン源において、前記複数段設置された電極のうち、前記ビームの進行方向に対して第2の電極のビームの入口部分に設けられ、かつ引き出される電子量を抑え電子軌道を偏向させる磁場を形成する第1の磁場形成手段と、前記第2の電極のビームの出口部分に設けられ、かつビーム軸と直交する方向に磁場を形成する第2の磁場形成手段とを備えたことを特徴とする負イオン源。

IPC (4件)：

H01J 27/08 ,  G21B 1/00 ,  H01J 37/08 ,  H05H 3/02

FI (4件)：

H01J 27/08 ,  G21B 1/00 U ,  H01J 37/08 ,  H05H 3/02

Fターム (18件)：

2G085AA01 ,  2G085BA02 ,  2G085BA05 ,  2G085BA06 ,  2G085BA14 ,  2G085BA15 ,  2G085BA17 ,  2G085BC05 ,  2G085BC06 ,  2G085BC11 ,  2G085BE02 ,  2G085CA16 ,  2G085EA01 ,  2G085EA09 ,  5C030DD05 ,  5C030DE01 ,  5C030DG01 ,  5C030DG06