特許

J-GLOBAL ID：200903017023459308

高周波部品

発明者： 太田 昭男 ,  金高 祐仁
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所 ,  豊橋技術科学大学長
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339094
公開番号（公開出願番号）：特開2000-165112
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 界面反応の影響を気にすることなく任意の誘電体基板を使用することができ、超伝導体が本来有する低い表面抵抗というメリットを十分に利用することができる、高周波部品を提供する。【解決手段】 高周波部品18は誘電体基板10を含む。誘電体基板10の上面および下面には、ポリイミド系の樹脂12a、12bがそれぞれ塗布される。これらの樹脂12a、12bで、Ag基板14a、14b上に形成した酸化物超伝導部材としてのBi系2212相超伝導厚膜16a、16bが、誘電体基板10の上面および下面にそれぞれ接着される。

請求項（抜粋）：

酸化物超伝導部材が誘電体基板上に樹脂で接着された、高周波部品。

IPC (4件)：

H01P 3/08 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01P 1/00 ZAA

FI (4件)：

H01P 3/08 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA Z ,  H01P 1/00 ZAA Z