特許
J-GLOBAL ID：200903017035592950
熱CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316547
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176830
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：
【要約】【目的】 基板の大きさや形状にかかわらず膜生成効率の高い熱CVD装置を提供する。【構成】 成膜反応室内にさらに内部反応器を設け、基板をこの内部反応器内に配置する。内部反応器は、基板の大きさや形状にあわせて作製し、また、膜と密着性の良い物質で作製する。【作用】 実質に反応に関与する空間が限定されるため、反応ガスが基板の周囲にとどまると共に、ヒータの熱効率も向上し、膜の生成効率が格段に向上する。同時に反応室内壁に生成した膜の剥離による汚染をも防止できる。
請求項（抜粋）：
内部に設置した基板に膜生成処理を行う反応室と、この反応室内へ反応ガスを供給するガス供給部と、反応器内を加熱するための加熱部とを備えた熱CVD装置であって、前記反応室内にさらに内部反応器を設け、基板をこの内部反応器内に配置するようにしたことを特徴とする熱CVD装置。
IPC (2件)：
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