特許

J-GLOBAL ID：200903017036834965

半導体装置の製造方法

発明者： 小島 明 ,  川平 博一 ,  野澤 悟
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381697
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203160
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】半導体装置製造用露光用マスクの基板面に遮光膜を形成する場合に生ずる反りによる露光のパターンずれの問題を容易に解決した半導体装置の製造方法を提供する。【手段】基板10のパターンが形成されている側の面の面上の周辺部に枠状の遮光膜2を有し、該周辺部の枠状の遮光膜をスリット3によって分割したことにより、該遮光膜を四角形の遮光膜部分に区画してなる露光用マスクを用いてパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板のパターンが形成されている側の面の面上の周辺部に枠状の遮光膜を有するとともに、前記周辺部の枠状の遮光膜をスリットによって分割したことにより、該遮光膜を四角形の遮光膜部分に区画してなる露光用マスクを用いてパターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

G03F 1/08 G ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 515 F