特許
J-GLOBAL ID：200903017037470070
半導体素子の金属薄膜形成方法及びガスセンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151991
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188869
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 電極金属を相互拡散の少ない物質及び構造で形成して、高温加熱時にも拡散を防止する拡散障壁としての役剤を果たし、かつ強誘電体薄膜のような強誘電特性に悪影響を及ぼさない金属電極堆積工程を提供する。【構成】 基板上に貴金属物質と基板との付着性に優れた金属を同時にスパッタリングして混合金属付着膜を形成する工程と、この混合金属付着膜上に前記貴金属物質をスパッタリング堆積して金属薄膜を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
基板上に貴金属物質と基板との付着性に優れた金属を同時にスパッタリング堆積して混合金属付着膜を形成する工程と、該混合金属付着膜上に該貴金属物質をスパッタリング堆積して金属薄膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の金属薄膜形成方法。
IPC (5件)：
C23C 14/14
, G01N 27/12
, H01L 21/203
, H01L 21/28 301
, H01L 21/285
