半導体加速度センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木道人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185205
公開番号（公開出願番号）：特開平8-029446
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】たわみ部および支持枠間の形状変化部での応力集中を緩和してS/N比を向上させる。【構成】たわみ部12は全体に厚さを一様にし、該たわみ部12は、マス121とマス121よりも幅の狭い狭小部122とからなる。そして、狭小部122の幅を支持枠11側で大きくして形状変化部つまり根元部123での応力集中を緩和した。さらに、検知素子19は前記形状変化部123から距離OSだけマス121側にずらせた。この構成により、形状変化部123では検知素子19で検出される最大公称応力よりも応力を大幅に低減できる。したがって、応力集中を考慮しても、前記最大公称応力以下で、たわみ部122が根元部123で破損することはない。その結果、最大公称応力を大きく設定でき、S/N比を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

厚さを一様にした前記たわみ部と、該たわみ部を取り囲み、該たわみ部よりも厚いたわみ部支持枠とからなり、前記たわみ部には該たわみ部を前記支持枠と一体化するための狭小部を設け、かつ該狭小部は前記支持枠との境界部で幅広に形成するとともに、前記境界部から偏った前記狭小部の予定位置に応力検知部を設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/02 , G01P 15/12

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平4-258175
特開平2-062967
特開平4-353770

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審査官引用 (13件)

特開平4-258175
特開平4-258175
特開平2-062967

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