特許

J-GLOBAL ID：200903017054562824

基板処理装置

発明者： 高橋 信春
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353665
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】ウェーハの高温プロセス処理に於いて、ウェーハを均一に成膜処理し、均一で高品質の成膜処理ウェーハを歩留りよく製造する。【解決手段】基板10が装填されるボート6が回転可能に支持されると共に回転支持部31が気密にシールされ、該回転支持部を冷却ガスにより空冷する様構成し、減圧下、高温下での使用を可能とする軸受部を提供し、前記反応管内に於ける高温プロセス処理の際、ボートを回転することにより、ウェーハを均一に成膜処理し、品質を向上すると共に歩留りを向上する。

請求項（抜粋）：

基板が装填されるボートが回転可能に支持されると共に回転支持部が気密にシールされ、該回転支持部を冷却ガスにより空冷する様構成したことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 R

Fターム (14件)：

5F045AA06 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB08 ,  5F045EB10 ,  5F045EC02 ,  5F045EE14 ,  5F045EF02 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM10