特許

J-GLOBAL ID：200903017055137400

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 角田 弘昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109776
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304300
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 デ-タ書込みと消去動作の繰り返し試験での特性とトランジスタの信頼性の向上したEEPROMを提供する。【構成】 ソ-ス領域102及びドレイン領域103と端部がそれぞれ重なってチャネル領域104上に形成された第一のゲ-ト絶縁膜105は、チャンネル領域104上面に形成された第三の絶縁膜部分111と、少なくともソ-ス領域102と浮遊ゲ-ト電極106との重なり部分に形成された第四の絶縁膜部分112とから構成されている。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板表面に間隔をおいて形成された逆導電型のソ-ス領域及びドレイン領域と、前記ソ-ス領域及びドレイン領域の間に形成されるチャネル領域と、前記ソ-ス領域及びドレイン領域と端部がそれぞれ重なって前記チャネル領域上に形成された浮遊ゲ-ト電極と、前記浮遊ゲ-ト電極と前記チャネル領域上面との間に形成された第一のゲ-ト絶縁膜と、前記浮遊ゲ-ト電極上に第二のゲ-ト絶縁膜を介して形成された制御ゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極及び前記絶縁膜の周囲に形成された保護膜とを具備し、前記第一のゲ-ト絶縁膜は、前記チャネル領域上面に形成された第三の絶縁膜部分と、少なくとも前記ソ-ス領域と前記浮遊ゲ-ト電極との重なり部分に形成された第四の絶縁膜部分とで構成され、かつ、前記第三の絶縁膜部分はSi(シリコン)、O(酸素)を含む絶縁膜から成り、前記第四の絶縁膜はN(窒素)を含む絶縁膜を少なくとも有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-144884
  
• 特開昭62-154787