特許

J-GLOBAL ID：200903017059692785

中性子吸収体としてのハフニウム合金

発明者： チェン ボーチング ,  ヤング ローザ エル
出願人/特許権者： エレクトリック パワー リサーチ インスチテュート インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-500682
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500931
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】Sn 0.l〜l.5重量%、O 0.03〜0.2重量%、Fe O.01〜0.15重量%、Zr 0.02〜2.0重量%、(1)Cr 0.01〜0.15重量%及びNi 0.10重量%未満、(2) Cr 0.01〜0.15重量%、Ni 0.10重量%未満及びMo 0.01〜0.2重量%、(3)Nb 0.2〜l.0重量%又は(4) Nb O.2〜l.0重量%及びMo 0.01〜0.2重量%から本質的になるハフニウム合金は、高い中性子吸収能力、均一な及びふし状腐食に対する高い抵抗性、高い引張強さ及びクリープ強さ、並びに良好な耐磨耗性を有し、原子炉内における中性子吸収体として使用することが適切である。

請求項（抜粋）：

Sn 0.1〜1.5重量%、O 0.03〜0.2重量%、Fe 0.01〜0.15重量%、Cr 0.01〜0.15重量%、Ni 0.10重量%未満、Zr0.02〜2.0重量%、並びにHf及び不純物の残部からなるハフニウム合金であって、該不純物が原子炉レベルのハフニウムについての公称の規定内のものであることを特徴とする該合金。

IPC (3件)：

C22C 27/00 ,  C22F 1/18 ,  G21C 7/24

FI (3件)：

C22C 27/00 ,  C22F 1/18 A ,  G21C 7/24