特許

J-GLOBAL ID：200903017061193524

III族窒化物結晶およびその成長方法

発明者： 藤原 伸介 ,  宮永 倫正 ,  水原 奈保
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-162654
公開番号（公開出願番号）：特開2006-335608
出願日： 2005年06月02日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】 各種半導体デバイスを形成するための材料となる大型のIII族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。【解決手段】 開口部12hを有する結晶成長容器12の内部にIII族窒化物原料1を配置し、結晶成長容器12の外部に窒素ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給して、結晶成長容器12の外部と内部とのガス交換を行ないながら、結晶成長容器12の内部でIII族窒化物結晶3を成長させる工程を含むIII族窒化物結晶の成長方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

昇華法によるIII族窒化物結晶の成長方法であって、 開口部を有する結晶成長容器の内部にIII族窒化物原料を配置し、前記結晶成長容器の外部に窒素ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給して、前記結晶成長容器の外部と内部とのガス交換を行ないながら、前記結晶成長容器の内部でIII族窒化物結晶を成長させる工程を含むIII族窒化物結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/08

FI (2件)：

C30B29/38 C ,  C30B23/08 Z

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07