特許

J-GLOBAL ID：200903017064293708

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山口 澄夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015496
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218201
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 良好な配線回路を実現でき、高集積な半導体回路を提供できることができるように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 半導体基板1の表面に不純物領域2が形成されている。不純物領域2を覆うように半導体基板の上に絶縁層3が設けられている。絶縁層3の表面に、配線層となる溝5が設けられている。絶縁層3中に、溝5と不純物領域2を結ぶ接続孔4が設けられている。接続孔4内に、高融点金属またはその化合物で形成された導電層6が埋め込まれている。溝5内に、導電層6に接続されるように銅配線8が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された不純物領域と、前記不純物領域を覆うように前記半導体基板の上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の表面に設けられ、配線層となる溝と、前記絶縁層中に設けられ、前記溝と前記不純物領域を結ぶ接続孔と、前記接続孔内に埋め込まれ、高融点金属および/またはその化合物で形成された導電層と、前記溝内に前記導電層に電気的接続されるように形成された配線層と、を備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C

Fターム (34件)：

4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033XX01 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19