特許
J-GLOBAL ID：200903017066042265
磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325184
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143225
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 MRヘッドの小型化に伴って、再生素子とシールドの間で静電破壊が発生し易くなる。そこで本発明は、短絡回路の開放をウェファやスライダーの切断工程に依存することなく、静電破壊を防止するMRヘッドを提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜を介して2つのシールドの間に設けられて、前記再生素子に電流を導くための電極膜の少なくとも一つが、レーザーを照射することで溶断できるヒューズを介して前記シールドと電気的に導通していることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜を介して2つのシールドの間に設けられて、前記再生素子に電流を導くための電極膜の少なくとも一つが、レーザーを照射することで溶断できるヒューズを介して前記シールドと電気的に導通していることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, G11B 5/31
, G11B 5/40
G11B 5/39
, G11B 5/31 K
, G11B 5/40
5D033AA02
, 5D033BB43
, 5D033CA08
, 5D034BA02
, 5D034BB12
, 5D034CA07
, 5D034DA04
, 5D034DA07
